Physics-Based Compact Modeling for the Drain Current Variability in Single-Layer Graphene FETs
Copyright © 2025, IEEE
| Autores: | , , , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2025 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/399393 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/399393 http://arxiv.org/abs/2506.03732v1 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Carrier number fluctuation Circuit design Compact model Coulomb scattering Graphene transistor graphene field-effect transistor (GFET) Impurities Variability |
| Sumario: | Copyright © 2025, IEEE |
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