The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures

Detalles Bibliográficos
Autores:	Gargallo Caballero, Raquel, Miguel-Sanchez, J., Fernández González, Álvaro de Guzmán\|\|\|0000-0001-5386-0360, Hierro Cano, Adrián\|\|\|0000-0002-0414-4920, Muñoz Merino, Elias\|\|\|0000-0001-7482-2590
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2008
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:2603
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/2603/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Condensed matter: electrical magnetic and optical Semiconductors surfaces interfaces and thin films condensed matter: structural mechanical and thermal nanoscale science and low-D systems

Descripción
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