Standards for the Characterization of Endurance in Resistive Switching Devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: Lanza, Mario, Waser, Rainer, Ielmini, Daniele, Yang, J. Joshua, Goux, Ludovic, Suñe, Jordi, Kenyon, Anthony Joseph, Mehonic, Adnan, Spiga, Sabina, Rana, Vikas, Wiefels, Stefan, Menzel, Stephan, Valov, Ilia, Villena, Marco A., Miranda, Enrique, Jing, Xu, Campabadal Segura, Francesca, González, Mireia B., Aguirre, Fernando, Palumbo, Felix, Zhu, Kaichen, Roldan, Juan Bautista, Puglisi, Francesco Maria, Larcher, Luca, Hou, Tuo-Hung, Prodromakis, Themis, Yang, Yuchao, Huang, Peng, Wan, Tianqing, Chai, Yang, Pey, Kin Leong, Raghavan, Nagarajan, Dueñas Carazo, Salvador, Wang, Tao, Xia, Qiangfei, Pazos, Sebastian
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2021
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/66210
Acceso en línea:https://doi.org/10.1021/acsnano.1c06980
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/66210
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Resistive
Switching
Memristor
Memory
Variability
Reliability
Characterization
Metal-oxide
Endurance
Descripción
Sumario:Producción Científica