Caracterització elèctrica de circuits CMOS digitals amb defectes tipus pont: implicacions al test per corrent quiescent
La tesis contribuye a los esfuerzos dirigidos a la consecución de modelaciones precisas de los fallos de tipo puente. La tecnología de los circuitos digitales considerados es la CMOS estática. En la tesis se utiliza un modelo eléctrico realista para los puentes consistentes en una conexión resistiva...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1992 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/6362 |
| Acceso en línea: | http://www.tdx.cat/TDX-0722109-133205 http://hdl.handle.net/10803/6362 https://dx.doi.org/10.5821/dissertation-2117-93674 |
| Access Level: | acceso abierto |
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Caracterització elèctrica de circuits CMOS digitals amb defectes tipus pont: implicacions al test per corrent quiescentRodríguez Montañés, Rosa621.3La tesis contribuye a los esfuerzos dirigidos a la consecución de modelaciones precisas de los fallos de tipo puente. La tecnología de los circuitos digitales considerados es la CMOS estática. En la tesis se utiliza un modelo eléctrico realista para los puentes consistentes en una conexión resistiva entre los nodos cortocircuitados. La elección del modelo se basa en un conjunto de medidas experimentales realizadas sobre circuitos monitores de defectos fabricados en un proceso industrial europeo. El análisis de la resistencia de los puentes medidos justifica la utilización del modelo resistivo. Este modelo eléctrico es aplicado dentro de una metodología de test basada en la vigilancia de la corriente quiescente (IDDQ) consumida por el circuito defectuoso. <br/><br/>El nivel de detección del test por corriente es evaluado teórica y experimentalmente para circuitos digitales básicos CMOS estáticos afectados de puentes modelados según el modelo resistivo y es comparado con el nivel de detección del test clásico. Se presenta una predicción del rango de corriente quiecente consumida por los módulos digitales defectuosos de tecnología CMOS considerados. La conclusión a la que se llega es que la vigilancia del consumo de corriente es una metodología potente en la detección de los puentes considerados.Universitat Politècnica de CatalunyaFigueras Pàmies, JoanUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica2011200919922009info:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://www.tdx.cat/TDX-0722109-133205http://hdl.handle.net/10803/6362https://dx.doi.org/10.5821/dissertation-2117-93674TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)reponame:TDR. Tesis Doctorales en Redinstname:CBUC, CESCACatalánADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.info:eu-repo/semantics/openAccessoai:www.tdx.cat:10803/63622026-06-14T12:46:07Z |
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La tesis contribuye a los esfuerzos dirigidos a la consecución de modelaciones precisas de los fallos de tipo puente. La tecnología de los circuitos digitales considerados es la CMOS estática. En la tesis se utiliza un modelo eléctrico realista para los puentes consistentes en una conexión resistiva entre los nodos cortocircuitados. La elección del modelo se basa en un conjunto de medidas experimentales realizadas sobre circuitos monitores de defectos fabricados en un proceso industrial europeo. El análisis de la resistencia de los puentes medidos justifica la utilización del modelo resistivo. Este modelo eléctrico es aplicado dentro de una metodología de test basada en la vigilancia de la corriente quiescente (IDDQ) consumida por el circuito defectuoso. <br/><br/>El nivel de detección del test por corriente es evaluado teórica y experimentalmente para circuitos digitales básicos CMOS estáticos afectados de puentes modelados según el modelo resistivo y es comparado con el nivel de detección del test clásico. Se presenta una predicción del rango de corriente quiecente consumida por los módulos digitales defectuosos de tecnología CMOS considerados. La conclusión a la que se llega es que la vigilancia del consumo de corriente es una metodología potente en la detección de los puentes considerados. |
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