Delayed melting at the substrate interface of amorphous Ge films partially melted with nanosecond laser pulses

6 pages, 4 figures.-- PACS: 64.70.Dv; 68.55.-a; 81.05.Cy; 61.43.Dq; 81.05.Gc; 78.66.Jg; 78.66.Db; 42.62.-b

Detalles Bibliográficos
Autores:	Vega, Fidel, Solís Céspedes, Javier, Siegel, Jan, Afonso, Carmen N.
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2000
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/21675
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/21675
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Melting Rapid solidification Substrates Elemental semiconductors Amorphous semiconductors Germanium

Descripción
Sumario:	6 pages, 4 figures.-- PACS: 64.70.Dv; 68.55.-a; 81.05.Cy; 61.43.Dq; 81.05.Gc; 78.66.Jg; 78.66.Db; 42.62.-b