| Sumario: | En esta tesis se presenta el estudio de nanoestructuras semiconductoras III-V a través de cálculos ab initio enmarcados dentro de la Teoría del Funcional Densidad. Se llevan a cabo con el programa PARSEC, que implementa métodos numéricos en el espacio real para resolver las ecuaciones de Kohn-Sham. El estudio se centra en el efecto que el confinamiento cuántico ejerce sobre sistemas con distinta dimensionalidad, analizando sus propiedades estructurales y electrónicas. Dentro de este contexto, se evalúa la estabilidad de centros DX en sistemas confinados con estructuras cristalinas de blenda de zinc y de wurtzita. This memory presents the study of III-V semiconductor nanostructures through ab initio calculations within Density Functional Theory. These are performed with PARSEC code, which implements numerical methods in real space to solve the Kohn-Sham equations. The study is centered on the effect that quantum confinement has over systems with different dimensionality, analyzing their structural and electronic properties. In this context, we evaluate DX center stability in confined systems with zinc blende and wurtzite crystal structures.
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