Elipsometría espectral y espectroscopías de modulación en aleaciones y superredes semiconductoras
En este trabajo se realiza el estudio de las propiedades ópticas de dos conjuntos de semiconductores iii-v: aleaciones y superredes. Para ello las técnicas utilizadas son aquellas sensibles a los diferentes procesos de absorción o transiciones ópticas directas en el espacio de momentos, estas tecnic...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2002 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Complutense de Madrid (UCM) |
| Repositorio: | Docta Complutense |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:docta.ucm.es:20.500.14352/62791 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14352/62791 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física del estado sólido 2211 Física del Estado Sólido |
| Sumario: | En este trabajo se realiza el estudio de las propiedades ópticas de dos conjuntos de semiconductores iii-v: aleaciones y superredes. Para ello las técnicas utilizadas son aquellas sensibles a los diferentes procesos de absorción o transiciones ópticas directas en el espacio de momentos, estas tecnicas fueron la elipsometría espectral y un conjunto de espectroscopías de modulación: piezorreflectancia, electrorreflectancia y fotorreflectancia. El estudio realizado en las aleaciones esta enfocado en la variación con la composición de al de las transiciones eo y es en dos tipos de aleaciones: arinas y algap. Por otra parte se efectúa un estudio similar, en varios conjuntos de superredes semiconductoras. Las superredes estudiadas abarcan desde superredes gaas/alas con prácticamente nulo desajuste en su parámetro de red. Hasta las superredes inas/alas de capas altamente tensionadas debido al fuerte desajuste de red entre sus constituyentes, pasando por el caso intermedio de las superredes gaas/gap. Los datos experimentales relativos a la transición e1 se explican teniendo en cuenta la importancia relativa de efectos de confinamiento y efectos de las tensiones. Por ultimo, en superredes inas/apas se establece el valor del band-offset en este tipo de heterouniones. |
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