High volume-per-dose and low resistivity of cobalt nanowires grown by Ga+ focused ion beam induced deposition
This article belongs to the Special Issue Nanomaterials for the Advanced Manufacturing of Electronic Devices.
| Autores: | , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2019 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/208062 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/208062 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Cobalt nanowires Focused ion beam induced deposition Ion milling High growth rate |
| Sumario: | This article belongs to the Special Issue Nanomaterials for the Advanced Manufacturing of Electronic Devices. |
|---|