Electron transport in low-dimensional systems: optoelectronic device simulations
[spa] El proceso de miniaturización de los dispositivos eléctricos ha permitido la creación de estructuras nanométricas. A esta escala, las propiedades de los materiales difieren de las observadas a escalas macroscópicas. Se han observado fenómenos que solo pueden ser explicados mediante la mecánica...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Barcelona |
| Repositorio: | Dipòsit Digital de la UB |
| OAI Identifier: | oai:diposit.ub.edu:2445/66152 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2445/66152 http://hdl.handle.net/10803/297704 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Electrònica Nanotecnologia Teoria quàntica Electronics Nanotechnology Quantum theory |
| Sumario: | [spa] El proceso de miniaturización de los dispositivos eléctricos ha permitido la creación de estructuras nanométricas. A esta escala, las propiedades de los materiales difieren de las observadas a escalas macroscópicas. Se han observado fenómenos que solo pueden ser explicados mediante la mecánica quántica, como el confinamiento quántico en varias dimensiones. De esta forma, la miniaturización a escala nanométrica ha abierto las puertas a la creación de dispositivos basados en nanoestructuras cuyas propiedades y respuestas eléctricas no tienen análogo en la electrónica macroscópica. Para poder mostrar todas las posibilidades y potencialidades de este tipo de dispositivos basados en nanoestructuras, es necesaria una descripción teórica que permita explicar a priori el comportamiento de estos. En este contexto, las simulaciones permiten entender y predecir el comportamiento experimental. Desde un punto de vista físico, se puede aprender mucho de las simulaciones si estas están basadas en parámetros físicos fundamentales de los materiales usados y de la geometría del dispositivo. Aunque se han realizado grandes progresos en el campo, aún no es posible una completa descripción de los dispositivos experimentales basada en primeros principios, es decir, mediante simulaciones atomísticas. Por lo tanto, es necesario realizar aproximaciones en los modelos teóricos relajando la precisión de los resultados obtenidos a favor de la posibilidad de simular dispositivos más parecidos a los experimentales. El objetivo de esta tesis es servir de nexo de unión entre las simulaciones teóricas y los dispositivos opto-electrónicos fabricados experimentalmente basados en matrices de quantum dots. Se ha desarrollado un formalismo de transporte eléctrico que permite estudiar la respuesta eléctrica de estos dispositivos bajo la influencia de un potencial externo. |
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