Liquid-gated transistors for biosensing applications
En aquesta tesi, hem estudiat diferents aspectes relacionats amb transistors orgànics, en particular transistors orgànics electroquímics d’efecte de camp (EGOFETs) i transistors orgànics electroquímics (OECTs). Els dispositius EGOFET es van fabricar dipositant a partir de dissolucions de semiconduct...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2020 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/670786 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10803/670786 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Biosensors Biosensores Transistors electroquímics Transistores electroquímicos Liquid-gated transistors Bioelectronics Bioelectrónica Ciències Experimentals 54 |
| Sumario: | En aquesta tesi, hem estudiat diferents aspectes relacionats amb transistors orgànics, en particular transistors orgànics electroquímics d’efecte de camp (EGOFETs) i transistors orgànics electroquímics (OECTs). Els dispositius EGOFET es van fabricar dipositant a partir de dissolucions de semiconductors orgànics (OSC) basats en molècules conjugades barrejats amb polímers aïllants, mitjançant la tècnica de Bar-assisted meniscus shearing (BAMS). BAMS és una tècnica ràpida, de baix cost i escalable que permet la formació de pel·lícules cristal·lines i uniformes. Els EGOFET van ser estudiats pel desenvolupament d’un biosensor per a la detecció de la proteïna α-sinucleina, que és un biomarcador per a malalties neurodegeneratives, incloses les malalties de Parkinson. A més, es van utilitzar dispositius OECT també per a la detecció de α-sinucleina, per estudiar el possible ús d’aquests dispositius com a immunosensors, camp molt poc explorat en la literatura. Finalment, es va fabricar un EGOFET completament flexible basat en un nou semiconductor molecular. Per primera vegada, s’ha estudiat la resposta elèctrica sota tensió mecànica per a un EGOFET. |
|---|