Estudio energético de las diferentes estructuras cristalinas utilizando análisis dft
Se simularon las estructuras de TiN, AlN y TiAlN empleando teoría funcional de la densidad (DFT- por sus siglas en inglés density functional theory), obteniendo el análisis de población de Mulliken, la densidad total de electrones y la energía total. Estas simulaciones fueron llevadas a cabo con el...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | Colombia |
| Institución: | Universidad Nacional de Colombia |
| Repositorio: | Repositorio UN |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73577 |
| Acceso en línea: | https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73577 http://bdigital.unal.edu.co/38053/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | DFT Energa total reactividad formacion de oxido. Total energy reactivity oxide formation. |
| Sumario: | Se simularon las estructuras de TiN, AlN y TiAlN empleando teoría funcional de la densidad (DFT- por sus siglas en inglés density functional theory), obteniendo el análisis de población de Mulliken, la densidad total de electrones y la energía total. Estas simulaciones fueron llevadas a cabo con el fin de observar la influencia de la inclusión de átomos de Al y Ti en las estructuras cristalinas de TiN-FCC y AlN-HCP respectivamente. Se desarrollaron cálculos de energía de punto único restrictivo, y el software Gaussian 98. La reactividad disminuyó en la estructura TiAlN-FCC a medida que el porcentaje de Al incrementó. La estabilización del sistema explica la inherencia química de este compuesto usado en aplicaciones de altas temperaturas. Se encontró inestabilidad inherente en los sistemas TiAlN-HCP simulados. El incremento de la energía, la alta reactividad y la densidad de polarización indican que la formación de compuestos laterales tales como óxidos es altamente probable. La energía total mostró un punto equilibrio cerca de la relación 50/50 de Ti/Al, indicando la posibilidad de coexistencia de fase, con energía estabilización de -7963,1349 Hartrees (Eh). |
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