Photoluminescence, photoabsorption and photoemission studies of hydrazone thin film used as hole transporting material in OLEDS
A fotoluminescência de filmes finos de 1-(3-metilfenil)-1,2,3,4-tetrahidroquinolina-6-carboxialdeído-1,1’-difenilhidrazona foi monitorada em função da irradiação com luz UV. A intensidade da emissão decresce exponencialmente com o tempo de exposição, sugerindo degradação das amostras. Com o objetivo...
| Autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFRGS |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:www.lume.ufrgs.br:10183/24589 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10183/24589 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Fotoluminescência Semicondutores Photoluminescence Photoabsorption Photoemission MTCD OLED degradation |
| Sumario: | A fotoluminescência de filmes finos de 1-(3-metilfenil)-1,2,3,4-tetrahidroquinolina-6-carboxialdeído-1,1’-difenilhidrazona foi monitorada em função da irradiação com luz UV. A intensidade da emissão decresce exponencialmente com o tempo de exposição, sugerindo degradação das amostras. Com o objetivo de investigar os mecanismos de degradação e determinar a estrutura eletrônica desse material orgânico usado com sucesso como camada transportadora de buracos na fabricação de diodos orgânicos emissores de luz (OLEDs), foram empregadas as técnicas de fotoabsorção e de fotoemissão nas bordas 1s do carbono e do nitrogênio bem como na banda de valência. A influência da luz solar foi simulada usando radiação síncrotron não-monocromática. Após exposição, todos os espectros apresentam um decréscimo nos sinais de fotoabsorção e de fotoemissão, que é menos acentuado na borda do carbono, apresentando, entretanto, um decréscimo drástico na borda do nitrogênio e na região de valência. O estudo sugere que a perda de nitrogênio é a principal causa para a quebra do sistema π, levando, dessa forma, à falha do dispositivo fabricado com esse composto. |
|---|