Espectroscopia de modulação de poços quânticos simples e duplos de GaAs/AlGaAs
Resumo: Este trabalho tem como objetivo principal estudar os estados fundamental e excitado de poços quânticos duplos acoplados (PQDAs) de GaAs/AlxGa1-xAs com diferentes espessuras de “spikes”, em função da temperaturaPoços quânticos duplos acoplados simétricos correspondem a dois poços quânticos si...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2024 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Estadual de Londrina (UEL) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UEL |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.uel.br:123456789/11275 |
| Acceso en línea: | https://repositorio.uel.br/handle/123456789/11275 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física da matéria condensada Poços quânticos Espectroscopia de modulação Condensed matter Quantum wells Modulation spectroscopy |
| Sumario: | Resumo: Este trabalho tem como objetivo principal estudar os estados fundamental e excitado de poços quânticos duplos acoplados (PQDAs) de GaAs/AlxGa1-xAs com diferentes espessuras de “spikes”, em função da temperaturaPoços quânticos duplos acoplados simétricos correspondem a dois poços quânticos simples idênticos separados por uma barreira estreita, de tal maneira que ocorre uma sobreposição das funções de onda nos dois poços quânticos, devido aos efeitos de tunelamento Esse acoplamento entre os poços faz com que o estado correspondente à partícula em um poço quântico isolado se separe, no PQDA, em estados simétrico e anti-simétrico, sendo que a diferença de energia entre os níveis depende da largura e da altura da barreira Os PQDA têm despertado interesse tanto do ponto de vista acadêmico como do ponto de vista das aplicações tecnológicas A técnica de fotoluminescência geralmente não permite obter as transições dos níveis excitados, devido ao fato dos elétrons (buracos) desses níveis decaírem para o nível fundamental através da emissão de fônons, antes deles se recombinarem radiativamente Também não é possível obter espectros de absorção devido ao fato da luz incidente se absorvida pelo substrato de GaAs Assim, uma possibilidade para estudar esses estados excitados é a técnica de fotorefletância (PR) ou a de eletrorefletância (ER) Foram estudadas duas amostras, as quais possuem, no total, um poço quântico simples e três poços quânticos duplos de Al15Ga85As/GaAs com diferentes espessuras de barreira central As medidas foram realizadas utilizando as técnicas de fotorefletância (PR) e de eletrorefletância sem contato (CER) Para isso montamos um sistema de CER e utilizamos um sistema de PR que já dispúnhamos Foram determinadas, em função da temperatura, as energias (EP) das seguintes transições excitônicas: e1-hh1 e e1-lh1 do poço simples e e1-hh1S, e1-lh1S, e1-hh1A e e1-lh1A dos poços duplos Foram também realizados ajustes das curvas de EPL versus temperatura utilizando as expressões de Vinã e de Passler |
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