Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties

Detalles Bibliográficos
Autor: Fazzio, Adalberto
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2002
País:Brasil
Institución:Universidade de São Paulo (USP)
Repositorio:Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual)
Idioma:inglés
OAI Identifier:001259303
Acceso en línea:http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:SEMICONDUTORES
Descripción
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