Transistor MOS com porta de paládio sensêvel ao hidrogênio.
Apresentamos um modelo teórico para a resposta ao hidrogênio dos transistores MOS com porta de paládio (Pd-MOSFET) e, comparamos com os resultados experimentais dos dispositivos por nós fabricados. Um roteiro básico para a fabricação de transistores Pd-MOSFET com as tecnologias compatíveis com a fab...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1993 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:teses.usp.br:tde-19122024-163359 |
| Acceso en línea: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122024-163359/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Transistores Transistors |
| Sumario: | Apresentamos um modelo teórico para a resposta ao hidrogênio dos transistores MOS com porta de paládio (Pd-MOSFET) e, comparamos com os resultados experimentais dos dispositivos por nós fabricados. Um roteiro básico para a fabricação de transistores Pd-MOSFET com as tecnologias compatíveis com a fabricação de circuitos integrados é definido. Montamos um sistema para diluir o hidrogênio em concentrações apropriadas as medidas de caracterização dos dispositivos. O filme de paládio, estudado com algumas técnicas de caracterização de filmes finos, apresentou contaminação de tungstênio. Estudamos o comportamento do transistor Pd-MOSFET em regime permanente, com transiente na concentração de hidrogênio e, em função da temperatura. O transistor apresentou uma excelente sensibilidade ao hidrogênio, exibindo uma variação na tensão de limiar de aproximadamente 0,3 v para concentrações de 13 ppm. A máxima variação na tensão de limiar ficou em torno de 0,5 v. Os resultados experimentais comprovaram a existência de deriva induzida pelo hidrogênio (HID). O oxigênio tem um importante papel no efeito do HID e pode promover a inativação do dispositivo. A resposta do transistor deve ser modelada com a isoterma de Langmuir somente se o ambiente não contiver oxigênio, caso contrário, a isoterma de Temkim deve ser utilizada para contabilizar o efeito da deriva induzida pelo hidrogênio. |
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