Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada

Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânti...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Zeidan, Ahmad Al
Tipo de recurso: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2017
País:Brasil
Institución:Universidade de São Paulo (USP)
Repositorio:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Idioma:portugués
OAI Identifier:oai:teses.usp.br:tde-10082018-145516
Acceso en línea:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Epitaxia por feixes moleculares.
Fotodetectores
InAs
Infrared
infravermelho
Molecular beam epitaxy
Photodetectors
Pontos quânticos
Quantum dots
Submonocamada
Submonolayer
Descripción
Sumario:Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânticos de InAs convencionais obtidos pela mesma técnica de deposição, mas no modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de corrente de escuro, de ruído, de responsividade e de absorção mostraram que, dependendo da estrutura das amostras, os dispositivos com pontos quânticos de submonocamada podem ter um excelente desempenho.