Modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas
Um modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas foi investigado. A estrutura do dispositivo é composta de um guia de onda de quatro camadas. O campo elétrico das microondas depleta os portadores na casca ativa e isto resulta na geração de um...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1992 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:teses.usp.br:tde-19022015-174552 |
| Acceso en línea: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-19022015-174552/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Não disponível Not available |
| Sumario: | Um modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas foi investigado. A estrutura do dispositivo é composta de um guia de onda de quatro camadas. O campo elétrico das microondas depleta os portadores na casca ativa e isto resulta na geração de uma variação periódica do índice de refração, isto é, uma rede de difração, devido aos efeitos eletro-óptico e dopagem. A interação do campo óptico com a estrutura periódica resulta na modulação da intensidade da luz. O projeto especial do guia de onda óptico proporciona alto fator de confinamento na casca ativa resultando também em alto coeficiente de acoplamento, situado entre 8 e 17 cm-1. A concentração de portadores e espessura da casca ativa está compreendida entre 2x1017 e 1018 cm-3 e 0.23 e 0.065 μm, respectivamente. O comprimento do dispositivo situa-se entre 500 e 2200 μm para índices de modulação superiores a 50%. Larguras de banda tão amplas quanto 24GHz para 50% e 12 GHz para 90% de índice de modulação foram obtidas. A atenuação óptica média devido à absorção dos materiais é ∼ 0.25 dB. A voltagem aplicada está situada entre 3.0 e 7.0V. Devido à característica capacitiva do dispositivo, não há praticamente drenagem de corrente, resultando em muito baixo consumo de potência |
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