Assinaturas topológicas de estados localizados com elétrons de multi-Weyl e grafeno

Determinamos o parâmetro de assimetria Fano (q) ao considerar uma única impureza adsorvida a um semimetal de multi-Weyl. Introduzimos o efeito Fano associado a uma carga topológica, revelando a modulação do perfil Fano pelos arcos de Fermi. O ajuste da carga topológica permite a transição do perfil...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Silva, Willian Carvalho da
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2024
País:Brasil
Institución:Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Repositorio:Repositório Institucional da UNESP
Idioma:portugués
OAI Identifier:oai:repositorio.unesp.br:11449/253644
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/11449/253644
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Semimetais de multi-Weyl
Efeito fano
Grafeno multicamadas
Colapso atômico
Multi-Weyl semimetals
Fano effect
Multilayer graphene
Atomic collapse
Descripción
Sumario:Determinamos o parâmetro de assimetria Fano (q) ao considerar uma única impureza adsorvida a um semimetal de multi-Weyl. Introduzimos o efeito Fano associado a uma carga topológica, revelando a modulação do perfil Fano pelos arcos de Fermi. O ajuste da carga topológica permite a transição do perfil ressonante (para J=1, semimetal de Weyl) para o perfil antirressonante em semimetais hiper-Weyl (J muito superior a 1). Em casos com proteção topológica (J maior ou igual a 3), o parâmetro de assimetria é determinado pelo grupo de simetria rotacional do semimetal multi-Weyl. Simultaneamente, exploramos estados ligados virtuais na região do gap de Coulomb de um átomo adsorvido em um sistema de grafeno multicamadas com empilhamento ABC. Demonstramos que esses estados virtuais reproduzem um fenômeno semelhante ao colapso atômico da física atômica relativística. Além disso, identificamos um segundo estado virtual com função equivalente a um estado de pósitron, introduzindo assim o conceito de colapso atômico no sistema de grafeno multicamadas ABC.