Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS: [tese]
Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica
| Autor: | |
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| Formato: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | Brasil |
| Recursos: | Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFSC |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ufsc.br:123456789/91474 |
| Acesso em linha: | http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/91474 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Engenharia eletrica Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico Circuitos integrados |
| Resumo: | Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica |
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