Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits
Nesta tese são apresentados estudos do impacto de armadilhas no desempenho elétrico de MOSFETs em nível de circuito e um simulador Ensamble Monte Carlo (EMC) é apresentado visando a análise do impacto de armadilhas em nível de dispositivo. O impacto de eventos de captura e emissão de portadores por...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| País: | Brasil |
| Recursos: | Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:www.lume.ufrgs.br:10183/150857 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/10183/150857 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Microeletrônica Cmos Traps RTS BTI Ensemble Monte Carlo TCAD Circuit simulations |
| Resumo: | Nesta tese são apresentados estudos do impacto de armadilhas no desempenho elétrico de MOSFETs em nível de circuito e um simulador Ensamble Monte Carlo (EMC) é apresentado visando a análise do impacto de armadilhas em nível de dispositivo. O impacto de eventos de captura e emissão de portadores por armadilhas na performance e confiabilidade de circuitos é estudada. Para tanto, um simulador baseado em SPICE que leva em consideração a atividade de armadilhas em simulações transientes foi desenvolvido e é apresentado seguido de estudos de caso em células SRAM, circuitos combinacionais, ferramentas de SSTA e em osciladores em anel. Foi também desenvolvida uma ferramenta de simulação de dispositivo (TCAD) atomística baseada no método EMC para MOSFETs do tipo p. Este simulador é apresentado em detalhes e seu funcionamento é testado conceitualmente e através de comparações com ferramentas comerciais similares. |
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