The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2018 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual) |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | 002902521 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | SEMICONDUTORES |
| Descripción no disponible. |