Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores.
Neste trabalho são propostos novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores MOS implementados em lâminas de Silício-Sobre-Isolante. Através do capacitor SOI de dois terminais são propostos os métodos para a determinação da concentração de dopantes do substra...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2001 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:teses.usp.br:tde-07112024-150339 |
| Acceso en línea: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Capacitor SOI Caracterização elétrica Electrical characterization Microelectronics Microeletrônica SOI capacitor |
| Sumario: | Neste trabalho são propostos novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores MOS implementados em lâminas de Silício-Sobre-Isolante. Através do capacitor SOI de dois terminais são propostos os métodos para a determinação da concentração de dopantes do substrato (Nab), da carga efetiva de óxido na terceira interface (Qox3) e da espessura do óxido enterrado (toxb). Usando o capacitor SOI de três terminais, os métodos para a determinação da espessura da camada de silício (tSi), da concentração de dopantes da camada de silício (Naf ou Ndf) e das cargas efetivas de óxido na primeira (Qox1) e na segunda (Qox2) interface também são propostos. Simulações numéricas bidimensionais, utilizando-se o MEDICI, são realizadas para a análise das curvas Capacitância-Tensão (CxV) dos capacitores SOI e também para a validação e a análise da sensibilidade dos métodos propostos. Os métodos são aplicados experimentalmente e resultados coerentes com a tecnologia SOI analisada são obtidos. A principal vantagem dos métodos propostos é sua simplicidade de aplicação, pois parâmetros importantes da tecnologia SOI são obtidos através de simples curvas Capacitância-Tensão de capacitores MOS fabricados em lâminas SOI. |
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