Estructuras de Cdxzn1-xte con composición gradual
Las capas delgadas de aleaciones semiconductoras con composición gradual (CG) resultan un tema de interés para los investigadores vinculados a la física del estado sólido. Estas aleaciones muestran una variación espacial de varias propiedades como son el índice de refracción, el ancho de la banda pr...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFMG |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ufmg.br:1843/80464 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/1843/80464 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Semiconductors X-ray diffraction in crystal structure Alloys thin films Semicondutores |
| Sumario: | Las capas delgadas de aleaciones semiconductoras con composición gradual (CG) resultan un tema de interés para los investigadores vinculados a la física del estado sólido. Estas aleaciones muestran una variación espacial de varias propiedades como son el índice de refracción, el ancho de la banda prohibida, la masa efectiva y el coeficiente de absorción de la luz; lo cual ha motivado su uso en varias aplicaciones prácticas como filtros ópticos, capas absorbentes de celdas solares, láseres semiconductores, dispositivos termoeléctricos, preparación de contactos óhmicos, acomodo de desacoples reticulares, entre otros. |
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