Estudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperatura
Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador numérico bidiomensional foram realizadas simulações para os transistores co...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | Brasil |
| Recursos: | Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI) |
| Repositorio: | Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI) |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.fei.edu.br:FEI/393 |
| Acesso em linha: | https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/393 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Tecnologia de silício sobre isolante Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor |
| Resumo: | Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador numérico bidiomensional foram realizadas simulações para os transistores com diferentes comprimentos de canal no intervalo de 10um à 0,08um, com concentração de dopantes na região de HALO variando de 8,0 x10 cm3, com ângulo de implantação na região de HALO de 90º à 50º e com temperaturas de operação destes dispositivos de 300K à 100K. Primeiramente foram realizadas as simulações numéricas em temperatura ambiente de forma a se obter a concentração de dopantes a o ângulo de implantação que melhores se ajustassem aos resultados experimentais e, em então se reduziu à temperatura de operação do dispositivo. Em seguida foram realizadas as medidas experimentais para os dispositivos PD SOI MOSFETs com e sem HALO operando em temperatura ambiente e em baixas temperaturas para diversos comprimentos de canal. Após a obtenção dos dados foram extraídos os parãmetros elétricos, tensão de limiar (Vth) e inclinação de sublimiar (S), para o dispositivo PD SOI MOSFETe foi observado que o ângulo e a concentração de dopantes que melhor se ajustaram aos dados experimentais foi de 60º e 3,0 x10 cm3, respectivamente. Com a definição da concentração de dopantes e do ângulo de implantação do HALO foi reduzida a temperatura de operação e notou-se que a tensão de limiar dos dispositivos com e sem HALO apresentam melhora em até 13%, minimizando assim o efeito de canal curto reverso. Na proposta de otimização da estrutura do HALO, para se obter uma menor variação da tensão de limiar, foi determinado que o ângulo ideal para a implantação do HALO de 50º e que para a faixa de dopagem entre 1,2 x10 cm3 e 1,8 x 10 cm3 os dispositivos são imunes aos efeitos de canl curto e canal curto reverso. |
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