Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2002 |
| País: | Brasil |
| Recursos: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual) |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | 001263519 |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | SEMICONDUTORES |
| Descrição não disponível. |