Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação

Detalles Bibliográficos
Autor: Santos, Ingrid Catherine B..
Tipo de recurso: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2011
País:Brasil
Institución:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
Repositorio:Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
Idioma:portugués
OAI Identifier:oai:repositorio.fei.edu.br:FEI/661
Acceso en línea:https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/661
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
Descripción
Descripción no disponible.