Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em átomos livres
Estudamos, de uma maneira sistemática, o campo hiperfino de contacto em átomos livres a fim de analisar a qualidade das funções de onda obtidas a partir da aproximação do operador de massa, da teoria de muitos corpos. 0 campo de contacto depende diretamente da função de onda dos eléctrons na origem...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1982 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:teses.usp.br:tde-27022014-111400 |
| Acceso en línea: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-111400/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | átomos livres campo hiperfino free atoms hyperfine field Semiconductors Semicondutores |
| Sumario: | Estudamos, de uma maneira sistemática, o campo hiperfino de contacto em átomos livres a fim de analisar a qualidade das funções de onda obtidas a partir da aproximação do operador de massa, da teoria de muitos corpos. 0 campo de contacto depende diretamente da função de onda dos eléctrons na origem e a aproximação utilizada para calculá-lo leva em conta tanto a dependência do exchange com a energia cinética do elétron quanto a inclusão da correlação coulombiana eletrônica, sem necessidade de parâmetros ajustáveis. Observamos que os resultados encontrados para tais campos, como esquema proposto, são competitivos com os de Hartree-Fock e por ser um esquema mais simples pode substituí-lo na obtenção de grandezas físicas relacionadas com as funções de onda dos sistemas a serem estudados. |
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