Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales

En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, Roberto Román, Arce, Roberto Delio
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2010
País:Argentina
Institución:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
Repositorio:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Idioma:español
OAI Identifier:afa:afa_v22_n02_p032
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
id AR_e3328ed8601ae478eae5dd9e16fcc60e
oai_identifier_str afa:afa_v22_n02_p032
network_acronym_str AR
network_name_str Argentina
repository_id_str
spelling Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructuralesPorous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural propertiesGarcés, Felipe AndrésAcquaroli, Leandro NicolásDussán Cuenca, AndersonKoropecki, Roberto RománArce, Roberto DelioDIODO SCHOTTKYSILICIO POROSOTCOSOL-GELSCHOTTKY DIODEPOROUS SILICONTCOSOL-GELEn este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generadaIn this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current.Fil: Garcés, Felipe Andrés. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2010info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2024-05-10T10:40:42Zafa:afa_v22_n02_p032Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962024-05-10 10:40:43.634Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties
title Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
spellingShingle Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Garcés, Felipe Andrés
DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
title_short Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_full Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_fullStr Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_full_unstemmed Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
title_sort Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
dc.creator.none.fl_str_mv Garcés, Felipe Andrés
Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author Garcés, Felipe Andrés
author_facet Garcés, Felipe Andrés
Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author_role author
author2 Acquaroli, Leandro Nicolás
Dussán Cuenca, Anderson
Koropecki, Roberto Román
Arce, Roberto Delio
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
topic DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
TCO
SOL-GEL
description En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1799196553158590464
score 15,811543

Similares en LA Referencia