Dinámica de clusters de vacancias en silicio
Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño...
| Authors: | , , |
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| Format: | article |
| Status: | Published version |
| Publication Date: | 2007 |
| Country: | Argentina |
| Institution: | Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| Repository: | Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| Language: | Spanish |
| OAI Identifier: | afa:afa_v19_n01_p141 |
| Online Access: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141 |
| Access Level: | Open access |
| Keyword: | DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS DEFECTOS PUNTUALES SIMULACION POR COMPUTADORA SILICIO VACANCY CLUSTER DYNAMICS POINT DEFECTS COMPUTER SIMULATION SILICON |
| Summary: | Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones. |
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