Simulación numérica de celdas solares de Ge
Actualmente las celdas solares de Ge han cobrado relevancia debido a que pueden ser utilizadas tanto en homojunturas como en multijunturas, siendo ejemplo de la primera situación el caso de los dispositivos para aplicaciones TPV (<i>Thermophotovoltaics</i>), y del segundo caso las celdas...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Universidad Nacional de La Plata |
| Repositorio: | SEDICI (UNLP) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/99716 |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/99716 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Ingeniería Ciencias Exactas Celdas Solares Germanio simulación numérica |
| Sumario: | Actualmente las celdas solares de Ge han cobrado relevancia debido a que pueden ser utilizadas tanto en homojunturas como en multijunturas, siendo ejemplo de la primera situación el caso de los dispositivos para aplicaciones TPV (<i>Thermophotovoltaics</i>), y del segundo caso las celdas InGaP-GaAs-Ge para aplicaciones espaciales o terrestres. Para este trabajo se simularon homojunturas con estructura InGaP-Ge n-p, con características similares a la celda <i>bottom</i> de una celda de triple juntura. Los resultados fueron comparados con dispositivos de idéntica estructura y para usos con concentración elaborados en el Instituto de Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid. Dado que el emisor de una homojuntura de Ge puede ser elaborado por dos métodos, difusión o crecimiento epitaxial, se realizó la comparación de los parámetros eléctricos obtenidos mediante la simulación numérica de una homojuntura n-p con emisor con perfil gaussiano y con juntura abrupta. Los parámetros eléctricos obtenidos no muestran diferencias si se toma, en el caso abrupto una concentración media de portadores en el emisor y resultan acordes a los medidos experimentalmente. Se estudió también la eficiencia cuántica externa y la influencia de la capa de InGaP en el dispositivo. |
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