Estudio teórico de la modificación de la respuesta espectral de un sensor de si mediante depósito de multicapas dieléctricas para medición de radiación par
Este trabajo presenta un estudio teórico para la elaboración de radiómetros para medir la radiación fotosintéticamente activa mediante el depósito de capas antirreflectantes sobre un sensor de silicio. Estos dispositivos están basados en los radiómetros elaborados en CNEA comenzando con el desarroll...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositorio: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/197821 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/11336/197821 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | RADIACIÓN FOTOSINTÉTICAMENTE ACTIVA RADIÓMETROS SENSOR DE RADIACIÓN SILICIO https://purl.org/becyt/ford/2.5 https://purl.org/becyt/ford/2 |
| Sumario: | Este trabajo presenta un estudio teórico para la elaboración de radiómetros para medir la radiación fotosintéticamente activa mediante el depósito de capas antirreflectantes sobre un sensor de silicio. Estos dispositivos están basados en los radiómetros elaborados en CNEA comenzando con el desarrollo de un instrumento que pueda medir esta radiación y proveer en un futuro próximo una herramienta confiable y de bajo costo. Se analizan la respuesta del sensor para distintos materiales dieléctricos, varios números de capas depositadas, diversos ángulos y espectros. |
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