Cinética de cristalización de aleaciones amorfas base Te y base Mg
En este trabajo, se estudió la cinética de cristalización de aleaciones amorfas binarias Ga-X (X = Te, Mg) y temarias Ga-X-Y (Y = Sn, Fe) en la zona de composiciones ricaen X. Los materiales fueron caracterizados por difracción de rayos X, espectroscopía Mössbauer y calorimetría diferencial de barri...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1998 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| Repositorio: | Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | tesis:tesis_n3051_Fontana |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3051_Fontana |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | AMORFOS CINÉTICA DE CRISTALIZACIÓN RAYOS X ESPECTROSCOPÍA MOSSBAUER CALORIMETRÍA DIFERENCIAL DE BARRIDO ALEACIONES GA20TE80 ALEACIONES GATE ALEACIONES GATESN ALEACIONES GATEFE ALEACIONES MGGA ALEACIONES MGGASN AMORPHOUS CRYSTALLIZATION KINETICS X-RAY MOSSBAUER SPECTROSCOPY DIFFERENTIAL SCANNING CALORIMETRIC ALLOYS GA20TE80 ALLOYS GATE ALLOYS GATESN ALLOYS GATEFE ALLOYS MGGA ALLOYS MGGASN |
| Sumario: | En este trabajo, se estudió la cinética de cristalización de aleaciones amorfas binarias Ga-X (X = Te, Mg) y temarias Ga-X-Y (Y = Sn, Fe) en la zona de composiciones ricaen X. Los materiales fueron caracterizados por difracción de rayos X, espectroscopía Mössbauer y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Los sistemas binarios Ga-X presentan un pequeño rango de amortización centrado en 20 % atómico de Ga. Al agregar un tercer elemento Y (hasta un 10 % atómico) a lossistemas binarios se observan comportamientos disímiles en los rangos de amorfizacióntemarios. Estos pueden ser explicados por la existencia de asociaciones Fuertes en elliquido que son retenidas en el enfriado rapido. Teniendo en cuenta las caracteristicas detectadas en la cinética de cristalización, losamorfos pueden dividirse en dos grupos: los de composición binaría (cercana a Ga20X80)y los de composición ternaria. Los amorfos ternarios son más estables y los productosde cristalización son diferentes a los de composición binaria. Se realizó un estudio detallado de la cinética de cristalización de la aleación amorfa decomposición Ga20Te80. Se detectaron la existencia de tiempos de inducción y demecanismos de cristalización compleja. La cristalización de los amorfos temarios base Te puede ser modelada suponiendo sólomodificaciones en la viscosidad con respecto al amorfo de composición Gaonego. En este trabajo se proponen elaboraciones originales que pueden ser aplicadas engeneral: se separa la señal correspondiente a una cristalización de una de cambio decapacidad calorifica en un barrido de DSC, se diseño un algoritmo que permite laconstrucción empírica de diagramas de transformación, se cuantifican los erroresexperimentales en calorimetría, se propone un modelo de cristalización compleja queexplica la cinética de una cristalización primaria, se construyen los diagramas detransformación a partir de un modelo de cristalización. |
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