Ensaios de módulos fotovoltaicos para análise da variação da resistência em série e em paralelo com a temperatura
O modelo de um diodo é bastante difundido para simular o desempenho de dispositivos fotovoltaicos. Neste trabalho, quatro módulos fotovoltaicos de silício cristalino foram caracterizados em simulador solar em diversas condições de irradiância e temperatura. A resistência em série (R<sub>S</...
| Autores: | , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2018 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Universidad Nacional de La Plata |
| Repositorio: | SEDICI (UNLP) |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/108290 |
| Acceso en línea: | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/108290 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Ingeniería energía solar fotovoltaica resistencia en serie resistencia en paralelo |
| Sumario: | O modelo de um diodo é bastante difundido para simular o desempenho de dispositivos fotovoltaicos. Neste trabalho, quatro módulos fotovoltaicos de silício cristalino foram caracterizados em simulador solar em diversas condições de irradiância e temperatura. A resistência em série (R<sub>S</sub>) e a resistência em paralelo (R<sub>P</sub>) foram extraídas das curvas I-V por um método analítico com objetivo de se obter expressões que modelem sua dependência com a irradiância e temperatura. Os módulos fotovoltaicos foram ensaiados em irradiâncias de 75 a 1000 W/m² e temperaturas de 25 a 65 °C. Não foi obtido uma relação clara da variação de R<sub>P</sub> com a temperatura, enquanto que R<sub>S</sub> apresentou um aumento linear com a temperatura. A modelagem proposta da dependência de R<sub>S</sub> com a temperatura e irradiância pode ser inserida no modelo de um diodo a fim de aumentar a precisão do cálculo das curvas I-V em ampla faixa de operação. |
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