Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red...
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| Tipo de documento: | artigo |
| Estado: | Versão publicada |
| Data de publicação: | 2012 |
| País: | Argentina |
| Recursos: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositório: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | espanhol |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/18812 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/11336/18812 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | DIODO SCHOTTKY SILICIO POROSO TCO SOL-GEL https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
| Resumo: | En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada. |
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