Cita APA

Dominguez, M., Quintero, P. R., JACOME, A. T., MORENO, M. M., Reyes, J. M., WADE, F. J. D. L. H., . . . Arriaga, W. C. (2012). Ambipolar a-SiGe: H thin-film transistors fabricated at 200 °C.

Citación estilo Chicago

Dominguez, Miguel, Pedro Rosales Quintero, ALFONSO TORRES JACOME, MARIO MORENO MORENO, Joel Molina Reyes, FRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE, CARLOS ZUÑIGA ISLAS, y Wilfrido Calleja Arriaga. Ambipolar A-SiGe: H Thin-film Transistors Fabricated At 200 °C. 2012.

Cita MLA

Dominguez, Miguel, et al. Ambipolar A-SiGe: H Thin-film Transistors Fabricated At 200 °C. 2012.