Gao, Z., Romero, M., Pampillón Arce, M. Á., San Andrés Serrano, E., & Calle, F. (2015). Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric.
Citación estilo ChicagoGao, Z., M.F Romero, María Ángela Pampillón Arce, Enrique San Andrés Serrano, y F. Calle. Thermal Stability Study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Gd2O3 As Gate Dielectric. 2015.
Cita MLAGao, Z., et al. Thermal Stability Study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Gd2O3 As Gate Dielectric. 2015.
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