Garrido Beltrán, L., Samitier i Martí, J., Morante i Lleonart, J. R., Montserrat i Martí, J., & Domínguez, C. (. H. (1994). Configurational statistical model for the damaged structure of silicon oxide after ion implantation.
Citação norma ChicagoGarrido Beltrán, Lluís, Josep Samitier i Martí, Joan Ramon Morante i Lleonart, Josep Montserrat i Martí, y Carlos (Domínguez Horna) Domínguez. Configurational Statistical Model for the Damaged Structure of Silicon Oxide After Ion Implantation. 1994.
Citação norma MLAGarrido Beltrán, Lluís, et al. Configurational Statistical Model for the Damaged Structure of Silicon Oxide After Ion Implantation. 1994.
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