Organización espontánea de puntos cuánticos de InSb crecidos por ALMBE sobre substratos de InP
El crecimiento autoorganizado de puntos cuánticos de InSb sobre substratos de InP mediante epitaxia de haces moleculares ha sido caracterizado mediante microscopía electrónica de transmisión y microscopía de fuerzas atómicas a fin de estudiar la morfología y establecer el mecanismo de relajación de...
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1997 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad de Barcelona |
| Repositorio: | Dipòsit Digital de la UB |
| OAI Identifier: | oai:diposit.ub.edu:2445/97145 |
| Acesso em linha: | https://hdl.handle.net/2445/97145 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Microscòpia electrònica de transmissió Microscòpia de força atòmica Electrons Materials nanoestructurats Nanocristalls semiconductors Transmission electron microscopy Atomic force microscopy Electrones Nanostructured materials Semiconductor nanocrystals |
| Resumo: | El crecimiento autoorganizado de puntos cuánticos de InSb sobre substratos de InP mediante epitaxia de haces moleculares ha sido caracterizado mediante microscopía electrónica de transmisión y microscopía de fuerzas atómicas a fin de estudiar la morfología y establecer el mecanismo de relajación de las estructuras. Medidas de difracción de electrones de alta energía durante el crecimiento de las muestras indican una transición en el modo de crecimiento de bidimensional a tridimensional a partir de un espesor total equivalente depositado de 1.1 monocapas atómicas de InSb. Los puntos cuánticos tienen en general, una buena calidad cristalina así como una distribución superficial homogénea, pero una alta anisotropía en las dimensiones entre las direcciones [110] y [110]. Así mismo, se encuentra una rugosidad superficial, también afectada de un alto grado de anisotropía, siendo las crestas y los valles paralelos a la dirección de elongación de las islas. Las imágenes de microscopía electrónica revelan un facetado de las estructuras según planos (001) que las limitan por la parte superior y planos {111}, {113} y {114}, que las limitan lateralmente. Las tensiones son eficazmente relajadas por la presencia de una red de dislocaciones situada en la interficie InSb/InP. |
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