González Díaz, G., Artús, L., Blanco, N., Cuscó, R., & Hernández, S. (2003). Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering.
Citación estilo ChicagoGonzález Díaz, Germán, L. Artús, N. Blanco, R. Cuscó, y S. Hernández. Study of the Electrical Activation of Si+-implanted InGaAs By Means of Raman Scattering. 2003.
Cita MLAGonzález Díaz, Germán, et al. Study of the Electrical Activation of Si+-implanted InGaAs By Means of Raman Scattering. 2003.
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