Porti i Pujal, M. (2003). Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM.
Citación estilo ChicagoPorti i Pujal, Marc. Caracterització a Escala Nanomètrica De La Degradació I. Ruptura Dielèctrica Del SiO2 En Dispositius MOS Mitjançant CAFM. 2003.
Cita MLAPorti i Pujal, Marc. Caracterització a Escala Nanomètrica De La Degradació I. Ruptura Dielèctrica Del SiO2 En Dispositius MOS Mitjançant CAFM. 2003.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.