Dhar, S., Pérez García, L., Brandt, O., Trampert, A., Ploog, K. H., Keller, J., & Beschoten, B. (2005). Gd-doped GaN: A very dilute ferromagnetic semiconductor with a Curie temperature above 300 K.
Citación estilo ChicagoDhar, S., Lucas Pérez García, O. Brandt, A. Trampert, K. H. Ploog, J. Keller, y B. Beschoten. Gd-doped GaN: A Very Dilute Ferromagnetic Semiconductor With a Curie Temperature Above 300 K. 2005.
Cita MLADhar, S., et al. Gd-doped GaN: A Very Dilute Ferromagnetic Semiconductor With a Curie Temperature Above 300 K. 2005.
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