Seoane Iglesias, N., Indalecio Fernández, G., Comesaña Figueroa, E., Aldegunde, M., García Loureiro, A. J., & Kalna, K. (2013). Random Dopant, Line-Edge Roughness, and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFET.
Citação norma ChicagoSeoane Iglesias, Natalia, Guillermo Indalecio Fernández, Enrique Comesaña Figueroa, M. Aldegunde, Antonio Jesús García Loureiro, y K. Kalna. Random Dopant, Line-Edge Roughness, and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFET. 2013.
Citação norma MLASeoane Iglesias, Natalia, et al. Random Dopant, Line-Edge Roughness, and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFET. 2013.
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