Cita APA

Guevara, E., Tinajero, J. L., Guevara, M., & Cajas Buenaño, M. (2019). Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs.

Citación estilo Chicago

Guevara, Esteban, José Luis Tinajero, Mauro Guevara, y Mildred Cajas Buenaño. Análisis Comparativo Del Nivel De Defectuosidad En Los Dispositivos De Potencia SiC N-MOSFETs. 2019.

Cita MLA

Guevara, Esteban, José Luis Tinajero, Mauro Guevara, y Mildred Cajas Buenaño. Análisis Comparativo Del Nivel De Defectuosidad En Los Dispositivos De Potencia SiC N-MOSFETs. 2019.