Ribas, E. G. (2019). Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2/Si: Influência da espessura da capa de SiO2 e de padrões de áreas finas produzidos por litografia.
Citación estilo ChicagoRibas, Eduardo Garcia. Síntese De SiC Através De Implantação Iônica De Carbono Em SiO2/Si: Influência Da Espessura Da Capa De SiO2 E De Padrões De áreas Finas Produzidos Por Litografia. 2019.
Cita MLARibas, Eduardo Garcia. Síntese De SiC Através De Implantação Iônica De Carbono Em SiO2/Si: Influência Da Espessura Da Capa De SiO2 E De Padrões De áreas Finas Produzidos Por Litografia. 2019.
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